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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE40H20AD

1个N沟道 耐压:40V 电流:200A

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私有库下单最高享92折
描述
NMOS,40V/200A,RDS=2mR;标称24V电池无刷控制器专用(电镐专用,性价比高)。
商品型号
NCE40H20AD
商品编号
C181941
商品封装
TO-263-2​
包装方式
编带
商品毛重
2.016克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))2.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)285W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)130nC@10V
输入电容(Ciss)7.182nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

NCE40H20AD采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。

商品特性

  • VDS = 40V,ID = 200A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 2.6 mΩ(典型值:2.0 mΩ)
  • 具备高ESD能力的特殊工艺技术
  • 采用高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
  • 采用散热性能良好的出色封装

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF