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NCE15H10D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE15H10D

停产 1个N沟道 耐压:150V 电流:100A

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商品型号
NCE15H10D
商品编号
C181934
商品封装
TO-263-2​
包装方式
编带
商品毛重
2.016克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)100A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V,40A
耗散功率(Pd)370W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA

商品概述

NCE15H10D采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 150V,漏极电流ID = 100A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 11 mΩ(典型值:9.5 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力

应用领域

  • 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF