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BUK9K25-40EX
2个N沟道 耐压:40V 电流:18.2A
- 描述
- 双逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56D（双 Power-SO8）。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9K25-40EX
- 商品编号
- C179358
- 商品封装
- LFPAK56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 701pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56D（双Power-SO8）封装的双逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 双MOSFET
- 符合Q101标准
- 额定重复雪崩能力
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
- 真正的逻辑电平栅极，175°C时VGS(th)额定值大于0.5 V
应用领域
- 12 V汽车系统
- 电机、灯具和螺线管控制
- 变速器控制
- 超高性能功率开关