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PSMN4R2-30MLDX
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 采用LFPAK33封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品系列，在保证高效率和低尖峰性能方面表现出色，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具备这些特性，但NextPowerS3却不存在令人困扰的高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用场景
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN4R2-30MLDX
- 商品编号
- C179452
- 商品封装
- LFPAK33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.795nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.272nF |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
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