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PSMN4R2-30MLDX

1个N沟道耐压:30V 电流:70A

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描述: 采用LFPAK33封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品系列，在保证高效率和低尖峰性能方面表现出色，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具备这些特性，但NextPowerS3却不存在令人困扰的高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用场景
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN4R2-30MLDX
商品编号: C179452
商品封装: LFPAK33-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.063克(g)

商品参数

商品概述

采用LFPAK33封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。

商品特性

超低的QG、QGD和QOSS，可实现高系统效率，尤其在较高开关频率下
具有软恢复功能的超快开关；s因子 > 1
低尖峰和振铃，适用于低EMI设计
独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术；在25°C时漏电流 < 1 μA，具备类肖特基性能
针对4.5 V栅极驱动进行优化
低寄生电感和电阻
高可靠性夹片键合和焊片连接的Mini Power SO8封装；无胶水、无引线键合，可在175°C下工作
外露引脚便于进行最佳的目视焊接检查

应用领域

服务器和电信的板载DC-DC解决方案
电信应用中的次级侧同步整流
电压调节器模块（VRM）
负载点（POL）模块
V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
有刷和无刷电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	70A
	导通电阻(RDS(on))	5.7mΩ@4.5V,20A
	耗散功率(Pd)	65W
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V@1mA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	13.8nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.795nF
	反向传输电容(Crss)	130pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.272nF