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BUK9M53-60EX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK9M53-60EX

1个N沟道 耐压:60V 电流:17A

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描述
逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK33 (Power33)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK9M53-60EX
商品编号
C179364
商品封装
LFPAK33-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on))53mΩ@5V,5A
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))2.1V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.4nC@5V
输入电容(Ciss)683pF
反向传输电容(Crss)47pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)73pF

数据手册PDF