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PMCM4401VPEZ
1个P沟道 耐压:12V 电流:3.9A
- 描述
- P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用 4 凸点晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCM4401VPEZ
- 商品编号
- C179419
- 商品封装
- WLCSP-4(0.8x0.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用4凸点晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）。
商品特性
- 低阈值电压
- 超小封装：0.78 x 0.78 x 0.35 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 >2 kV HBM
应用领域
- 电池开关-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路