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PMV120ENEAR
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.1A
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装为小型SOT23（TO-236AB）表面贴装塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV120ENEAR
- 商品编号
- C179439
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 246mΩ@10V,2.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 513mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 275pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 > 2 kV HBM
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路