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PMV160UP,215
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.2A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用SOT23（TO - 236AB）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV160UP,215
- 商品编号
- C179440
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@4.5V,1.2A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 365pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为SOT23（TO - 236AB）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 额定1.8 V导通电阻（RDSon）
- 沟槽MOSFET技术
- 极快速开关
应用领域
- 继电器驱动器
- 高端负载开关
- 高速线路驱动器
- 开关电路