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PMDT290UNE,115
2个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
- 描述
- 双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于超小扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDT290UNE,115
- 商品编号
- C179421
- 商品封装
- SOT-666
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0191克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 680pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
应用领域
- 继电器驱动
- 高速线路驱动
- 低端负载开关
- 开关电路
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单