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MS6001Y

SGT-MOS 60V 111A

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描述
N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):111A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MS6001Y
商品编号
C17702010
商品封装
PDFN5x6​
包装方式
编带
商品毛重
0.27克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)111A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
耗散功率(Pd)66W
阈值电压(Vgs(th))2.1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)4.5nF
反向传输电容(Crss)39pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.23nF

商品概述

5210采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 60V、111A,RDS(ON)(典型值)= 2.3 mΩ @ VGS = 10 V
  • 可靠耐用
  • 开关速度快
  • 有环保型器件可选
  • 100%保证抗雪崩能力

应用领域

  • 高频开关与同步应用
  • DC/DC转换器

数据手册PDF