温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MJD07N65
SJMOS 650V 7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：580mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MJD07N65
- 商品编号
- C17702003
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 382pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品特性
- 650V、7A,RDS(ON)(典型值) = 0.58Ω,VGS = 10V
- CRM(CQ)超结技术
- 更低的导通电阻×面积(Ron*A)性能,提高导通效率
- 更低的品质因数(FOM),提高快速开关效率
应用领域
- 充电器
- 电源
- LED/LCD/PDP电视及显示器照明
- 太阳能/可再生能源/不间断电源(UPS)微型逆变器系统