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MJF07N65

SJMOS 650V 7A

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描述
N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):580mΩ
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MJF07N65
商品编号
C17702004
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.326克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))650mΩ@10V
耗散功率(Pd)21W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@10V
输入电容(Ciss)382pF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)29pF

商品特性

  • 650V、7A,VGS = 10V时,RDS(ON)(典型值) = 0.6Ω
  • CRM(CQ)超结技术
  • 导通电阻与面积乘积(Ron*A)更低,提升导通效率
  • 品质因数(FOM)更低,提升快速开关效率

应用领域

  • 充电器
  • 电源
  • LED/LCD/PDP电视及显示器照明
  • 太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统

数据手册PDF