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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MPF20N65

VDMOS 650V 20A

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描述
N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.4Ω
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MPF20N65
商品编号
C17701996
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.738克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))500mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)85W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)54.5nC@10V
输入电容(Ciss)3.059nF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)291pF

商品特性

  • 650V、10A,RDS(ON)(典型值)= 0.80Ω(VGS = 10V 时)
  • 低 Crss
  • 快速开关
  • 100% 雪崩测试

应用领域

  • 适配器
  • LCD/PDP 适配器
  • 电动自行车充电器

数据手册PDF