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MPP10N65实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MPP10N65

1个N沟道 耐压:650V 电流:10A

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描述
特性:650V,10A,漏源导通电阻(典型值) = 0.80Ω(栅源电压 = 10V 时)。 低反向传输电容。 快速开关。 100% 雪崩测试。应用:适配器。 LCD/PDP 适配器
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MPP10N65
商品编号
C17701987
商品封装
PTO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.464克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)31.9nC@10V
输入电容(Ciss)1.595nF
反向传输电容(Crss)6.6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)134pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 5

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    起订量:1 个2500个/圆盘

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