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NCE3007S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3007S

1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A

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描述
P沟道,-30V,-6.5A,42毫欧,比NCE4435电流稍低。
商品型号
NCE3007S
商品编号
C167514
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))42mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.2nC@10V
输入电容(Ciss)520pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)100pF

商品概述

NCE3007S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -6.5A
  • 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 42 mΩ
  • 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 72 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性

应用领域

  • 负载开关
  • 电池保护

数据手册PDF