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NCE2007N
2个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- NCE2007N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE2007N
- 商品编号
- C169816
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
UTC 7N65K-MTQ 是一款高压功率 MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V, ID = 6.5 A
- VGS = 2.5 V 时,RDS(ON) < 27 mΩ
- VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) < 22 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
-电池保护-负载开关