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NCE30P25S
1个P沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- P沟道,-30V,-25A,9mΩ@-10V
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30P25S
- 商品编号
- C167517
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 268pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 486pF |
商品概述
N沟道和P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件专为在极小的占位面积内实现出色的功率耗散而设计，适用于采用更大、更昂贵的TSSOP - 8和SSOP - 6封装不切实际的应用场景。
商品特性
- Q1：0.7 A、20V，漏源导通电阻RDS(ON) = 300 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 400 mΩ（栅源电压VGS = 2.5 V）
- Q2： - 0.6 A、 - 20V，漏源导通电阻RDS(ON) = 420 mΩ（栅源电压VGS = - 4.5 V）
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 630 mΩ（栅源电压VGS = - 2.5 V）
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)
- SC70 - 6封装：占位面积小（比SSOT - 6小51%）；厚度薄（1mm厚）
- 互补性
应用领域
-DC/DC转换器-负载开关-LCD显示器逆变器