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2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C169813
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@5V,0.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 0.3A
- 栅源电压（VGS） = 5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 3Ω
- 栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 2Ω
- 静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）2300V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 直接逻辑电平接口：晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）/互补金属氧化物半导体（CMOS）
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器