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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3401AY

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.4A

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描述
NCE3401AY采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品型号
NCE3401AY
商品编号
C169815
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.045克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.4A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th))1.3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)950pF
反向传输电容(Crss)75pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)115pF

商品概述

NCE2007N采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -4.4A
  • RDS(ON) < 80 m Ω(@ VGS = -2.5 V)
  • RDS(ON) < 65 m Ω(@ VGS = -4.5 V)
  • RDS(ON) < 52 m Ω(@ VGS = -10 V)
  • 高功率和电流处理能力
  • 获得无铅产品认证
  • 表面贴装封装

应用领域

-PWM应用-负载开关-电源管理

数据手册PDF