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CS15N50FA9R
1个N沟道 耐压:500V 电流:15A
- 描述
- N沟道,500V,15A,400mΩ@10V
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS15N50FA9R
- 商品编号
- C162379
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 235pF |
商品概述
CS15N50F A9R是一款采用自对准平面技术的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 0.4Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：50nC）
- 低反向传输电容（典型值：25.5pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 汽车领域
- 直流电机控制
- D类放大器