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CS4N65A8HD
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- N沟道,650V,4A,2Ω@10V
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS4N65A8HD
- 商品编号
- C162401
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 544pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
CS4N65 A8HD是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220AB，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 改进的ESD能力
- 低栅极电荷（典型数据：14.5nC）
- 低反向传输电容（典型值：8.5pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。
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