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CS1N60A4H
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.8A
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- 描述
- CS1N60 A4H是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS1N60A4H
- 商品编号
- C162383
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V,0.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10.7pF |
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(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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