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CS20N50A8H
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- N沟道,500V,20A,250mΩ@10V
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS20N50A8H
- 商品编号
- C162384
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.863nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 285pF |
商品概述
CS20N50 A8H 是采用自对准平面技术制造的硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为 TO - 220AB，符合 RoHS 标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson ≤ 0.3Ω)
- 低栅极电荷(典型数据:63nC)
- 低反向传输电容(典型值:25pF)
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-电子镇流器和适配器的功率开关电路