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CS2N60A3H实物图
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CS2N60A3H

1个N沟道 耐压:600V 电流:2A

描述
N沟道,600V,2A,3.6Ω@10V
品牌名称
华润华晶
商品型号
CS2N60A3H
商品编号
C162388
商品封装
TO-251(IPAK)​
包装方式
管装
商品毛重
0.588克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))4.5Ω@10V,1.0A
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.5nC@10V
输入电容(Ciss)280pF
反向传输电容(Crss)5.4pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)31pF

数据手册PDF

交货周期

订货5-7个工作日

购买数量

(3000个/管,最小起订量 3000 个)
起订量:3000 个3000个/管

总价金额:

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