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CS3N90A3H1-G
1个N沟道 耐压:900V 电流:3A
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- 描述
- N沟道,900V,3A,5Ω@10V
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS3N90A3H1-G
- 商品编号
- C162396
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.588克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
CS3N90 A3H1-G是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、提高开关性能和增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 251，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 5.5Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：16nC）
- 低反向传输电容（典型值：6.5pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 汽车领域
- 直流电机控制
- D类放大器