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NLAS3899BMNTBG
NLAS3899B 双DPDT低导通电阻开关
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- 描述
- NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关，设计用于低功耗音频和双SIM卡应用。其低导通电阻为3.0Ω（典型值），适用于中高阻抗负载。此外，低电容20 pF（典型值）使其带宽达到280 MHz。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NLAS3899BMNTBG
- 商品编号
- C153734
- 商品封装
- UQFN-16(1.8x2.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | - | |
| 工作电压 | 1.65V~4.3V | |
| 导通时间(ton) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 3Ω | |
| 关闭时间(toff) | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 20pF | |
| 带宽 | 280MHz |
商品特性
- 单电源工作电压 1.65 至 4.3 V VCC，可直接由锂离子电池供电
- 低导通电阻，典型值为 3.0 Ω
- 低导通电容，典型值为 20 pF
- 带宽 280 MHz
- 最大击穿电压：5.5 V
- 低静态功耗
- 支持 1.8 V 芯片组接口
- 无铅器件
应用领域
- 手机扬声器/麦克风切换
- 铃声音频芯片/放大器切换
- 双SIM卡数据切换
- 四个不平衡（单端）开关
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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