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ESD5311N-2/TR

双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

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描述: ESD5311N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD5311N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5311N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5311N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。
品牌名称: WILLSEMI(韦尔)
商品型号: ESD5311N-2/TR
商品编号: C153721
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.011克(g)

商品参数

商品概述

ESD5311N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。 ESD5311N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5311N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。 ESD5311N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

商品特性

截止电压：最大5V
根据IEC61000 - 4 - 2（ESD）标准为每条线路提供瞬态保护：±20 kV（接触放电）
根据IEC61000 - 4 - 5（浪涌）标准：4 A（8/20 μs）
超低电容：典型CJ = 0.25 pF
超低漏电流：典型lR < 1 nA
低钳位电压：典型VCL = 21 V ，ωΠ|PP = 16A（TLP）
固态硅技术

应用领域

USB 2.0和USB 3.0
HDMI 1.3和HDMI 1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子笔记本

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	21V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A@8/20us
	击穿电压	9V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1nA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	TVS
	Cj-结电容	0.25pF