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ISL6609AIRZ

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6609AIRZ
商品编号: C1549415
商品封装: QFN-8-EP(3x3)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

ISL6609、ISL6609A是一款高频MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。该驱动器与英特矽尔（Intersil）的ISL63xx或ISL65xx多相PWM控制器相结合，可为先进微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案，在高开关频率下具备高效性能。该IC由单个低压电源（5V）偏置，可将高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗降至最低。每个驱动器能够驱动3nF负载，上升/下降时间小于10ns。上栅极驱动器的自举通过内部低正向压降二极管实现，降低了实施成本和复杂度，并允许使用性能更高、成本更低的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。 ISL6609、ISL6609A的下栅极驱动器典型灌电流为4A，可增强下MOSFET在PHASE节点上升沿的栅极下拉能力，防止因开关节点的高dV/dt导致下MOSFET自导通而造成功率损耗。 ISL6609、ISL6609A还具备一个可识别高阻抗状态的输入，与英特矽尔多相PWM控制器协同工作，可在操作暂停时防止受控输出电压出现负瞬变。此功能无需在电源系统中使用肖特基二极管来保护负载免受负输出电压的损坏。此外，ISL6609A的自举功能旨在防止当PHASE节点转换时出现过大的负摆幅时BOOT电容过充电。

商品特性

驱动两个N沟道MOSFET
自适应直通保护
0.4Ω导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率 - 快速输出上升和下降 - 超低三态关断时间（20ns）
可替代ISL6605，性能更优
防止BOOT电容过充电（ISL6609A）
低正向压降内部自举二极管
低偏置电源电流
使能输入和上电复位
QFN封装 - 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）产品外形 - 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率，外形更薄
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

英特尔（Intel）和AMD微处理器的核心电压电源
高频、薄型、高效DC/DC转换器
大电流、低电压DC/DC转换器
隔离电源的同步整流

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优惠活动

购买数量

(100个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个100个/管

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	8ns
	下降时间(tf)	8ns
	工作温度	-40℃~+85℃