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FZT968TA
PNP 电流:6A 电压:12V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -12V。 高连续集电极电流 IC = -6A。 峰值脉冲电流 ICM = -20A。 低饱和电压 VCE(sat) < -170mV @ -2A。 hFE 指定高达 -10A 以实现高增益保持。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT968TA
- 商品编号
- C150472
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 170mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> -12V
- 集电极连续电流（IC）= -6 A（高值）
- 集电极脉冲峰值电流（ICM）= -20 A
- 低饱和电压：在 -2 A 时，集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）< -170 mV
- 高增益保持：直流电流增益（hFE）规定至 -10 A
- 无铅涂层；符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件