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BC857BLP-7
PNP 电流:100mA 电压:45V
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- 描述
- 特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：IC =-100mA。 功率耗散：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，可降低板外轮廓。 互补NPN类型：BC847BLP。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BC857BLP-7
- 商品编号
- C151002
- 商品封装
- DFN-3L(0.6x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 220 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 4uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- BVC0 > -45V
- 集电极电流 IC = -100mA，高集电极电流
- 功耗 PD = 1000mW
- 封装占位面积0.60mm²，比SOT23小13倍
- 封装高度0.5mm，可最小化板外轮廓
- 互补NPN类型：BC847BLP
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（如AEC - Q中引用），具有高可靠性