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WSP10N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
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- 描述
- N沟道.100V.10A.22mΩ.功能与脚位等同AO4452
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP10N10
- 商品编号
- C148412
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.209克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
商品概述
WSP10N10是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF08N10符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
- DC/DC转换器中的电源管理。