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2SA1298-Y,LF
PNP 电流:800mA 电压:25V
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- 描述
- 特性：高直流电流增益：hFE = 100 至 320。 低饱和电压：VCE(sat) = -0.4V（最大值）（IC = -500 mA，IB = -20 mA）。 适用于小型电机驱动级。 与 2SC3265 互补。 小封装。应用：低频功率放大器应用。 功率开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SA1298-Y,LF
- 商品编号
- C146432
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@100mA,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@500mA,20mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial (PCT process)，适用于低频功率放大器应用和功率开关应用
优惠活动
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(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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