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SIP32508DT-T1-GE3
1.1 V至5.5 V带受控上升时间的负载开关
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- 描述
- SiP32508和SiP32509是压摆率可控的负载开关，设计用于1.1 V至5.5 V的工作电压。开关元件为n沟道器件，在较宽的输入范围内，典型导通电阻（Rₒₙ）低至44 mΩ。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIP32508DT-T1-GE3
- 商品编号
- C139515
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 低电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 3A | |
| 工作电压 | 1.1V~5.5V | |
| 导通电阻 | 46mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SiP32508和SiP32509是压摆率可控的负载开关，设计用于1.1 V至5.5 V的工作电压。 开关元件采用n沟道器件，在较宽的输入范围内，典型导通电阻Rₒₙ低至44 mΩ。 该器件保证在1.2 V输入时具有较低的开关导通电阻。它们具有典型2.5 ms的可控软启动压摆率，可限制大容性负载设计中的浪涌电流，并最大程度减小电源轨上的电压降。 这些器件具有低压控制逻辑接口（开/关接口），无需额外的电平转换电路即可与低压控制信号连接。 SiP32508和SiP32509具有极低的关断电流，并提供反向阻断功能，防止大电流流入电源。 SiP32509集成了开关关断输出放电电路。SiP32508和SiP32509均采用TSOT23-6封装。
商品特性
- 工作电压范围：1.1 V至5.5 V
- 低导通电阻Rₒₙ，最低至1.2 V仍保持平坦
- 在1.5 V至5 V范围内，典型值为44 mΩ
- 符合RoHS标准
- 压摆率可控开启：在3.6 V时为2.5 ms
- 无卤
- 禁用时，静态电流低至<1 μA
- 在V₁ₙ = 1.2 V时，典型值为10.5 μA
- 开关关断时具有反向电流阻断功能，保证泄漏电流小于2 μA
应用领域
- 个人数字助理（PDA）/智能手机
- 超级本和笔记本电脑
- 平板电脑设备
- 便携式媒体播放器
- 数码相机
- GPS导航设备
- 数据存储设备
- 光学、工业、医疗和保健设备
- 外设
- 办公自动化
- 网络