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IPD80R450P7
1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R450P7
- 商品编号
- C132187
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.22mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@0to10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品概述
最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss；降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK封装RDS(on)
- 一流的3V V(GS)th及±0.5V的最小V(GS)th变化
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 一流的CoolMOS品质和可靠性；根据JEDEC（J-STD20和JESD22）标准通过工业级应用认证
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 推荐用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。
- 也适用于消费类应用和太阳能领域的PFC级电路。