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IDM10G120C5XTMA1

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IDM10G120C5XTMA1
商品编号: C126693
商品封装: TO-252-2(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.481克(g)

商品参数

商品概述

第五代 thinQ!™ 1200 V 碳化硅肖特基二极管，采用革命性的半导体材料碳化硅。该器件无反向恢复电流，无正向恢复，开关行为与温度无关。即使在高温下也具有低正向压降，正向压降分布紧密，热性能优异，浪涌电流能力扩展，并规定了 dv/dt 鲁棒性。该器件符合 JEDEC 标准，采用无铅引线电镀，符合 RoHS 规范。其优势包括：相比硅二极管提高系统效率；通过降低散热需求节省系统成本/尺寸；支持更高频率/增加功率密度的解决方案；因更低的运行温度而提高系统可靠性；减少电磁干扰。

商品特性

革命性的半导体材料 - 碳化硅
无反向恢复电流 / 无正向恢复
开关行为与温度无关
即使在高温下也具有低正向压降
紧密的正向压降分布
优异的热性能
扩展的浪涌电流能力
规定的 dv/dt 鲁棒性
符合 JEDEC 标准
无铅引线电镀；符合 RoHS 规范

应用领域

太阳能逆变器
不间断电源
电机驱动
功率因数校正

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	碳化硅二极管
	二极管配置	-
	整流电流	38A
	正向压降(Vf)	1.8V@10A

	属性	参数值
	直流反向耐压(Vr)	1.2kV
	反向电流(Ir)	62uA@12V
	非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)	99A
	工作结温范围	-55℃~+175℃