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NTR4502PT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.13A
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- 描述
- P沟道,-30V,-1.95A,200mΩ@-10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR4502PT1G
- 商品编号
- C12325
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V,1.95A | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 200pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.13A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 1.95A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：200pF @ 15V
功率 - 最大值：400mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.13A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 1.95A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：200pF @ 15V
功率 - 最大值：400mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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