LTC4351IMS#PBF

LT4351使用外部单个或背靠背N沟道MOSFET构建近乎理想的二极管。这种理想二极管功能可实现多个电源的低损耗“或”操作。电源可以轻松地进行“或”操作，以增加系统总功率和可靠性，同时对电源电压或效率的影响最小。不同的电源可以有效地进行“或”操作。 该IC会根据负载监测输入电源，当输入电源电压较高时，会导通MOSFET。如果MOSFET的RDS(ON)足够小，LT4351会将MOSFET两端的电压调节至15mV。STATUS引脚指示MOSFET的导通状态。 内部升压调节器产生MOSFET栅极驱动电压。低工作电压允许低至1.2V的电源进行“或”操作。 在欠压或过压情况下，LT4351会禁止功率传输。这些电压由UV和OV引脚上的电阻分压器设置。欠压阈值具有用户可编程的迟滞。过压检测经过滤波，以减少误触发。 LT4351采用10引脚MSOP封装。

• 用于多电源供电系统中“或”二极管的低损耗替代方案
• 采用外部N沟道MOSFET，具备高电流能力
• 内部升压调节器为MOSFET栅极驱动供电
• 宽输入范围：1.2V至18V
• 快速开关MOSFET栅极控制
• 输入欠压和过压检测
• 用于监控的STATUS和FAULT输出
• 内部MOSFET栅极钳位
• 采用10引脚MSOP封装

• 并联电源
• 不间断电源
• 高可用性系统
• 冗余电源