温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRF7726TRPBF

1个P沟道耐压:30V 电流:7A

描述: P沟道
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRF7726TRPBF
商品编号: C116780
商品封装: MSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.133克(g)

商品参数

商品概述

国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET®功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势与坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种用于电池和负载管理的高效可靠器件。全新的Micro8封装，其占位面积仅为标准SO - 8封装的一半，是SOIC外形中占位面积最小的封装。这使得Micro8成为印刷电路板空间宝贵的应用的理想器件。Micro8的低外形（<1.2mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子产品和PCMCIA卡。

商品特性

超低导通电阻
超小SOIC封装
低外形（< 1.2mm）
提供卷带包装
无铅

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	7A
	导通电阻(RDS(on))	40mΩ@4.5V,6A
	耗散功率(Pd)	1.79W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	2.204nF
	反向传输电容(Crss)	220pF
	工作温度	-
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	341pF