ZVN3310FTA
1个N沟道 耐压:100V 电流:100mA
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- 描述
- N沟道,100V,0.1A,10Ω@10V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZVN3310FTA
- 商品编号
- C110533
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET采用了一种将低输入电容与相对较低的导通电阻相结合的结构,与类似的沟槽技术结构相比,其在线性模式下本质上具有更高的脉冲电流处理能力。该MOSFET适用于通用应用。
商品特性
~~- 线性模式下高脉冲电流处理能力-低输入电容-快速开关速度-设计无铅/符合RoHS标准
应用领域
- 通用100V FET
- 电源管理
- 断开开关
- 电信
