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2N7002KQ-7
N沟道 耐压:60V 电流:380mA
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2N7002KQ-7
- 商品编号
- C111971
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@5V,0.05A | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 300pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制、电源管理功能、背光照明
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电（ESD）防护高达2kV
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 2N7002KQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电机控制
- 电源管理功能
- 背光照明