DMT8012LFG-7
N沟道 耐压:80V 电流:35A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT8012LFG-7
- 商品编号
- C112950
- 商品封装
- POWERDI3333-8
- 包装方式
- 编带
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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