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DMT8012LFG-7
N沟道 耐压:80V 电流:35A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT8012LFG-7
- 商品编号
- C112950
- 商品封装
- POWERDI3333-8
- 包装方式
- 编带
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化
- 出色的 Qgd x RDS(ON) 乘积(品质因数)
- 适用于DC/DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装电路板面积的33%,可实现更小的终端产品
- 100%经过UIS(雪崩)额定测试
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,可靠性高
应用领域
- 同步整流器
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
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