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ZXMN3F30FHTA
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.8A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN3F30FHTA
- 商品编号
- C110536
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 318pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 的特点是在 4.5V 栅极驱动下可实现低导通电阻。
商品特性
- 低导通电阻
- 具备 4.5V 栅极驱动能力
- SOT23 封装
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-电机控制