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NTR0202PLT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTR0202PLT1G

1个P沟道 耐压:20V 电流:0.4A

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描述
这是一款 20 V P 沟道功率 MOSFET。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTR0202PLT1G
商品编号
C109445
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)400mA
导通电阻(RDS(on))1.1Ω@4.5V,50mA
耗散功率(Pd)225mW
阈值电压(Vgs(th))2.3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.18nC@10V
输入电容(Ciss)70pF
反向传输电容(Crss)26pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)74pF

商品特性

  • 低导通电阻RDS(on),可提高效率并延长电池寿命
  • 微型SOT - 23表面贴装封装,节省电路板空间
  • NVT前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 计算机
  • 打印机
  • PCMCIA卡
  • 移动电话和无绳电话

数据手册PDF