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RU3060L
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- N沟道MOSFET，30V，53A，9mΩ@10V
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU3060L
- 商品编号
- C107709
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品特性
- 30V/53A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 9 mΩ(典型值)
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 13 mΩ(典型值)
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
- 快速开关且具备完整雪崩额定值
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-台式计算机、便携式设备和DC/DC转换器的电源管理。