- 引脚图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N7000TA
1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
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- 描述
- 这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大程度降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数要求直流电流高达400 mA的应用，并且能够提供高达2 A的脉冲电流
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N7000TA
- 商品编号
- C107290
- 商品封装
- TO-92-2.54mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
- LMC555CMM/NOPB
- CD74HC00M96
- CD74HC04M96
- BC807-16(RANGE:100-250)
- SY7200AABC
- AVRM0603C120MT101N
- DEA165850LT-1197B2
- MLF2012DR47KT000
- MLP2012S2R2MT0S1
- MMZ1005Y121CT000
- MMZ1608R601ATA00
- MMZ1608S800ATA00
- MPZ1005S121CT000
- MPZ1608S101ATAH0
- MPZ1608S601ATA00
- NLCV32T-100K-PF
- NTCG104EF104FT1X
- VLP8040T-100M
- VLS252012ET-2R2M
- MOR01SJ020KA10
- SRV05-4L-TP