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SK2312AA
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.8A
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- 描述
- Trench Power LV MOSFET 技术。高功率和电流处理能力。ESD 保护：±2700V。标记：K12
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK2312AA
- 商品编号
- C962556
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V,6.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@10V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
商品特性
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试
- 100% 漏源电压变化率（∇VDS）测试
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能