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SK30P10
1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- SK30P10采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rₒₛ₍ₒₙ₎）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK30P10
- 商品编号
- C962767
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.565克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -50℃~+155℃ |
商品特性
- VDS = -100 V, ID = -30 A
- RDS(ON) < 50 m Ω @ VGS = -10 V
- RDS(ON) < 55 m Ω @ VGS = -4.5 V
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- TO-252封装
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统