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SK50N06A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SK50N06A

1个N沟道 耐压:60V 电流:55A

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描述
特性:专有新沟槽技术。 RDS(ON) 典型值 = 13.5mΩ(VGS = 10V 时)。 低栅极电荷,可最小化开关损耗。 快速恢复体二极管。应用:汽车。 DC 电机控制
品牌名称
SHIKUES(时科)
商品型号
SK50N06A
商品编号
C962724
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.397克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)85W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)50nC@10V
输入电容(Ciss)2.05nF@30V
反向传输电容(Crss)120pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 出色的导通电阻和最大直流电流能力

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 便携式设备负载开关
  • 电池开关

数据手册PDF