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SK20N08RL-TF
1个N沟道 耐压:80V 电流:20A
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- 描述
- 特性：80V，N沟道，低输入电容。 RDS(ON)最大为5.9mΩ，条件为VGS = 4.5V，ID = 75A。 RDS(ON)最大为4.8mΩ，条件为VGS = 10V，ID = 20A。应用：网络。 LED照明应用
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK20N08RL-TF
- 商品编号
- C962761
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
-沟槽功率低压MOSFET技术-用于降低漏源导通电阻 (RDS(ON)) 的高密度单元设计-高速开关
商品特性
- 漏源电压 (VDS) 30V
- 漏极电流 (ID) 8.5A
- 漏源导通电阻 (RDS(ON))（在栅源电压 (VGS) = 10V 时）< 21 mΩ
- 漏源导通电阻 (RDS(ON))（在栅源电压 (VGS) = 4.5V 时）< 35 mΩ
- 100% ∇VDS 测试
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理