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SDW2065
2个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SDW2065
- 商品编号
- C962751
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 快速开关
- 提供环保型器件
- 适用于1.8V栅极驱动应用
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 网络设备
- 手持仪器